细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

碳化硅制作工艺及设备

2023-03-04T13:03:43+00:00

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

网页2020年10月21日碳化硅材料整线关键工艺设备共22 种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。碳化硅半导体产业发展现状在我国进行产网页2020年12月2日技术碳化硅产业链条核心：外延技术碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区

网页2022年12月1日其中碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度、高电导率、高热导率，有望成为未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。 SiC 器件的制造是保证其优良应用的关键，本文将详细介绍SiC器件制造的离网页2019年9月5日碳化硅外延材料加工设备全部进口，将制约我国独立自主产业的发展壮大。 3 碳化硅功率器件碳化硅功率高温封装技术发展滞后。目前碳化硅器件高温、高功率密度封装的工艺及材料尚不完全成熟。为了第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎

网页2022年3月7日来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃ 网页2023年4月19日导读：近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破知乎

碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪！投资不易，同志仍需

网页2022年1月4日投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快！2、碳化硅目前供需情况是一片难求，网页2017年4月21日中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在简述碳化硅的生产制备及其应用领域中国粉体网

碳化硅晶体生长工艺及设备西安理工大学技术研究院 xaut

网页2017年10月25日利用该设备开发了PVT法制备大直径碳化硅晶体的生长工艺，已成功制备直径100mm、厚度超过25mm的4HSiC体单晶，同时也掌握了SiC晶锭切、磨、抛的基网页碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂碳化硅百度百科

一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术

网页2022年12月1日其中碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度、高电导率、高热导率，有望成为未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。 SiC 器件的制造是保证其优良应用的关键，本文将详细介绍SiC器件制造的离网页2023年4月19日导读：近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款 750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破知乎

碳化硅芯片的五大关键工艺步骤电子器件

网页2021年9月24日碳化硅芯片这样制造新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车网页2020年8月21日碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等，合成粉体纯度可达999995%。高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学

碳化硅晶体生长工艺及设备西安理工大学技术研究院 xaut

网页2017年10月25日利用该设备开发了PVT法制备大直径碳化硅晶体的生长工艺，已成功制备直径100mm、厚度超过25mm的4HSiC体单晶，同时也掌握了SiC晶锭切、磨、抛的基本技术，已在碳化硅晶体生长设备、生长工艺、热场模拟分析、碳化硅材料表征、晶片加工等方面积网页2021年12月4日碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹

科普｜碳化硅芯片怎么制造？面包板社区

网页2021年8月4日碳化硅芯片这样制造新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车网页2020年6月16日包括晶圆、器件、工艺（溅射、光刻、刻蚀等等）有相关的文献推荐一下嘛？逆变器中碳化硅和硅对成本的影响对于SiC引入电动汽车的优势，意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri认为：“最重要的是SiC MOSFET在牵引逆变器方面的优势，且在电动汽车制造中碳化硅器件目前有什么生产难点？？知乎

我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎

网页2021年12月24日 33kV高压SiC模块在国内的应用刚刚开始，为了应对产品开发实践或生产碰到的一些问题，三菱电机开发了一款工艺组件设计。其拓扑用的模块是33kV 750A SiC模块，因为对牵引应用的电流等级稍小一些，所以并联非常必要，该组件是用2个33kV 750A SiC模块并联的网页2023年4月19日导读：近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款 750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破知乎

新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）器件工艺流程外延

网页2022年8月24日 5）器件制造与封装测试，所制造的电子电力器件及模组可通过验证进入应用环节。碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较长。以碳化硅功率器件为例，从单晶生长到形成衬底需耗时1 个月，从外延生长到晶圆前后段加工完成需耗时612 个月，从器件制造再到网页2022年7月28日第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析时间： 15:03:07 作者：刘全璞、李奕锠，作者依序为成功大学材料科学及工程学系教授、博士生 SiC功率电子是加速电动车时代到来的主要动能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不仅能使电力移转时的能源损耗降低第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析EDN 电子技术设计

关于碳化硅的合成、用途及制造工艺 21ic电子网

网页2020年6月12日关于碳化硅的合成、用途及制造工艺 [导读] 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度网页总投资约11500~12000万元，建成年产11万吨左右的碳化硅生产基地。（主要设备：变压器，整流柜，高低压柜，碳化硅冶炼电炉等）如果投资14000万元，可建成年产125 万吨左右的碳化硅生产基地。 3物理性能碳化硅生产工艺百度文库

碳化硅晶体生长工艺及设备西安理工大学技术研究院 xaut

网页2017年10月25日利用该设备开发了PVT法制备大直径碳化硅晶体的生长工艺，已成功制备直径100mm、厚度超过25mm的4HSiC体单晶，同时也掌握了SiC晶锭切、磨、抛的基本技术，已在碳化硅晶体生长设备、生长工艺、热场模拟分析、碳化硅材料表征、晶片加工等方面积网页2020年9月9日碳化硅加工工艺流程一、碳化硅的发展史：1893发表了个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互反应，从而生成碳化硅，到1925年卡普伦登公司，又宣布研制成功绿碳化硅。1碳化硅加工工艺流程图豆丁网

碳化硅陶瓷七大烧结工艺中国粉体网

网页2021年11月15日来源：山东金鸿目前碳化硅陶瓷的制备技术主要有反应烧结、常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、振荡压力烧结。 1 反应烧结反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和碳化硅粉进行混合，经注浆成型，干压或冷等静压成型制备出坯网页2021年8月4日碳化硅芯片这样制造新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车科普｜碳化硅芯片怎么制造？面包板社区

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2021-11-09

平板振动洗沙机的制造

2020-03-03

新型密封粉碎机新型密封粉碎机新型密封粉碎机

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采石场技术改造项目社会效益

水泥磨巡检总结