细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

多晶硅母合金掺杂原理

2020-06-03T06:06:36+00:00

认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂知乎

网页2022年9月26日投杂法则是将高纯固体掺杂剂在多晶硅原料熔化之后掺入硅熔体中，这种方法比较适用于一些蒸发系数较大的掺杂剂所谓母合金是指掺杂剂与Si（或其他半导体材料）构成的二元合金，如PSi，BSi等。需要注意的是，杂质在母合金及在熔体中的网页2020年7月8日 MOSFET使用多晶硅作为栅极材料的理由 1Mosfet的阈值电压主要由栅极沟道材料的功函数之间的差异决定多晶硅可以通过掺杂不同极性的杂质来改变功函数, 半导体学习日记（2）多晶硅栅极蚀刻知乎

掺杂计算理论与实践百度文库

网页Quality Assurance 采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确掺杂的目的主要是用来改变硅熔体中施主杂质（如磷）或受主杂质（如硼）的杂质浓度，使其生长出网页2014年5月23日掺杂杂质扩散固溶载流子硅晶片微电子工艺学MicroelectronicProcessing第四章掺杂原理与技术教授:zhang 第四章掺杂原理与技术豆丁网

掺磷多晶硅的干法刻蚀工艺研究

网页本文主要研究功率器件中多晶硅栅的干法刻蚀工艺。首先阐述了多晶硅在金属–氧化物–半导体场效应晶体管(MOSFET)中的重要作用，提出当前多晶硅常采用干法刻蚀工艺实现其微观网页2011年6月10日母合金计算公式应掺母合金重量为M其中：K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数W——–为多晶硅原料的重量母—–为母合金的杂质浓度M——–为应掺母合母合金的计算方法豆丁网

LPCVD原位掺杂多晶硅探究豆丁网

网页2015年5月30日 2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海 LPCVD原位掺杂多晶硅研究赵发展海潮和（中国科学院微电子研究所北京）摘要：利网页2022年8月31日这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后，生产过程如下：在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原，得到产物SiC，再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO2反应，可多晶硅生产工艺知乎

母合金掺杂及补掺装置制造方法及图纸，掺杂专利技高网

网页2012年8月7日本技术涉及一种母合金掺杂及补掺装置，属于太阳能硅单晶掺杂技术技术介绍现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内。现有的拉网页2022年9月26日投杂法则是将高纯固体掺杂剂在多晶硅原料熔化之后掺入硅熔体中，这种方法比较适用于一些蒸发系数较大的掺杂剂所谓母合金是指掺杂剂与Si（或其他半导体材料）构成的二元合金，如PSi，BSi等。需要注意的是，杂质在母合金及在熔体中的认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂知乎

掺杂计算理论与实践百度文库

网页f母合金掺杂的计算方法 Quality Assurance 电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ度为C母，应掺母合金重量为M M =W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数原料的电阻网页2023年2月19日掺杂半导体能带隙中杂质能级的示意图：(a) 施主能级；(b) 受主能级（1）施主能级在N型半导体中，施主杂质的存在将会引入施主能级。以在Si中掺入P为例，P原子所带来的多余的电子由于受正离子的吸半导体的掺杂知乎

简述多晶硅耗尽效应知乎

网页2022年5月11日虽然可以通过提高多晶硅栅极的掺杂浓度来提高材料中自由载流子的浓度以缓解多晶硅的耗尽效应，但是栅极中的掺杂已经接近饱和状态，尤其对于PMOS来说，高浓度的硼穿透栅介质已经是非常严重的问网页2012年8月29日公司简介解决方案产品介绍代理合作典型用户联系我们母合金拉制一定型号和电阻率的单晶硅，要选用适当的掺杂剂母合金。拉制电阻率较高的硅单晶则采用母合金作掺杂剂。采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确。什么是拉母合金产品介绍合能阳光（中国）公司

深度解析TOPCon电池技术知乎

网页2022年1月31日 53 主要提升的钝化是背面钝化，背面采用12nm的高质量SiOx层结合掺杂非晶硅进行高温晶化退火从而实现全区域的钝化接触，采用高质量的超薄氧化硅和掺杂多晶硅层，实现全背面的高效钝化和载流子选择性收集；6 TOPCon隧穿钝化原理网页2015年5月31日掺杂就是用一个元素替换原晶体中一种元素的位置但是数量不多这个反应的缺陷反应方程式是：制备的时候也就是把Zr跟Y元素按所需比例配合最后搞出来的就是你要的YSZ 至于会不会坍塌，这个得看你掺杂的量的大小，元素的离子大小以及温度。发布于晶体掺杂是怎样的？（详见问题说明）知乎

多晶硅生产工艺知乎

网页2022年8月31日这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后，生产过程如下：在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原，得到产物SiC，再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO2反应，可以得到液态的硅。实验表明，这种液态硅中杂质含量非常少，几乎只有C这一种杂质。为了去除液态硅中的C 网页2022年9月3日关注【嘉勤点评】中芯北方发明的掺杂多晶硅栅极的半导体结构方案，将NFET区域和PFET区域的多晶硅栅极进行掺杂，降低了阈值电压和单位面积电阻，从而提高电学性能。同时，由于掺杂多晶硅栅极的是在半导体衬底中形成源极和漏极的同时进行「专利解密」中芯北方HKMG新技术利用掺杂多晶硅栅极

LPCVD原位掺杂多晶硅研讨pdf

网页2018年1月11日 2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海 LPCVD原位掺杂多晶硅研究赵发展海潮和 (中国科学院微电子研究所北京) 摘要：利用LPCVD (低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验，结合膜的生成原理对实验结果进行了分析，并重点对网页2021年11月6日应变硅技术是指通过应变材料产生应力，并把应力引向器件的沟道，改变沟道中硅材料的导带或者价带的能带结构，可以通过合理的器件设计来获得合适的应力方向从而减小能带谷内、谷间散射概率以及载流子（电子和空穴）沟道方向上的有效质量，达到增强集成电路制造工艺——应变硅技术知乎

掺杂建模合金、间隙掺杂、随机替代掺杂、随机空位、无序

网页2022年9月21日跟杨站长从零开始，12小时入门建模！本期特训营主题：掺杂。包括：合金，随机掺杂，有序掺杂，无序掺杂，虚晶近似VCA，多原子随机掺杂，随机空位，所涉及结构有电池正极材料LiCoO2, LDH, 合金，金属氧化物TiO2，沸石等。 Up主简介：MS杨站长，12年计算材料网页（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的杂质量相应的加入母合金量。（3）中子辐照掺杂（NTD）按上述两种掺杂方式掺杂，由于杂质分凝、蒸发、温度分布等因素的影响使得杂质均匀性很难作好，尤其是高阻材料更直拉单晶硅的制备掺杂百度文库

「专利解密」中芯北方HKMG新技术利用掺杂多晶硅栅极

网页2022年9月3日关注【嘉勤点评】中芯北方发明的掺杂多晶硅栅极的半导体结构方案，将NFET区域和PFET区域的多晶硅栅极进行掺杂，降低了阈值电压和单位面积电阻，从而提高电学性能。同时，由于掺杂多晶硅栅极的是在半导体衬底中形成源极和漏极的同时进行网页2015年7月20日掺杂计算理论和实践ppt,為什么拉單晶需要摻雜劑（母合金）﹖ 影响掺杂的几个因素母合金掺杂的计算方法电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M M =W*C头/（K 掺杂计算理论和实践ppt全文综合论文在线文档

LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺豆丁网

网页2016年1月25日而采用20～25%的稀释SiH4的效果较好LPCVD生长完结构层多晶硅后,多晶硅层内有一定的压应力可以改善结构层内的应力状态。多晶硅晶粒与工艺参数的关系LPCVD,只有高于此温度下才能生长出结构层多晶硅。多晶硅的晶粒尺寸主要取决于淀积温度,如表所示。 600时淀网页2021年9月17日合金化之后，大多数情况下是为了提升机械性能，牺牲化学性能，电性能和热性能。掺杂反过来，它能提升电性能和热性能。一言蔽之，合金化类似于配溶液，只是溶剂换成了金属。掺杂更接近炒菜时加的盐，没有不行，加多了也不行，只有盐更不行。掺杂和合金化之间的区别在哪里？都是形成固溶体了吗？知乎

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网页2018年1月11日 2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海 LPCVD原位掺杂多晶硅研究赵发展海潮和 (中国科学院微电子研究所北京) 摘要：利用LPCVD (低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验，结合膜的生成原理对实验结果进行了分析，并重点对网页2023年4月14日图817掺杂超品格半导体能带结构掺杂超晶格优点掺杂超晶格的特点是通过掺杂浓度和各层厚度的选择，其有效带隙可以在0～Eg（Eg为该体材料的带隙）调制。其最独特性能是在外界作用下（光照或电注入）它的有效带隙和载流子浓度可在较大范围内调制。区熔法悬浮区熔FZ Zone melted method， floating zone