细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

生产碳化硅需要什么设备

2021-06-28T11:06:34+00:00

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

网页2020年10月21日有多难做？根据东方卫视报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆于 10 月 16 日在上海正式发布。从终端应用层上来看在碳网页2020年12月2日技术碳化硅产业链条核心：外延技术碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎

网页2022年3月7日 2、衬底长晶完成后，就进入衬底生产环节。经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。衬网页碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿碳化硅百度百科

碳化硅器件目前有什么生产难点？？知乎

网页2020年6月16日碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，网页产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎

网页2021年12月24日 33kV高压SiC模块在国内的应用刚刚开始，为了应对产品开发实践或生产碰到的一些问题，三菱电机开发了一款工艺组件设计。其拓扑用的模块是33kV 750A 网页2023年4月21日国产外延设备崛起，摆脱寡头格局与硅器件不同，SiC器件需要在SiC衬底上沉积生长外延膜，利用外延膜生产器件, 因此SiC外延设备在产业链中处于承上启下的 SiC市场“蓄势待发”，哪些装备耗材还在被卡脖子？

工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

网页2020年12月8日目前全球95%以上的半导体元件，都是以代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化网页2022年3月7日 2、衬底长晶完成后，就进入衬底生产环节。经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎

碳化硅器件目前有什么生产难点？？知乎

网页2020年6月16日碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。网页2023年1月3日在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

SiC发展神速设备XFab碳化硅

网页2022年8月25日这是一个需要用设备部署的大量洁净室空间。一些用于硅生产线的设备也可用于碳化硅生产线。但大批量的生产需要一些专门的工具。 IDM和代工厂需要什么？随着特斯拉的发展，意法半导体很快就实现了高销量。意法半导体汽车产品集团功率网页产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

国内碳化硅产业链！面包板社区

网页2020年12月25日制备温度方面，碳化硅衬底需要在2500度高温设备下进行生产，而硅晶只需1500度；生产周期方面，碳化硅晶圆约需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；商业化晶圆尺寸方面，目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸，而用于功率器件的硅晶圆以8 英寸为主网页2022年3月22日 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线需要重视哪些信号交易提示操盘必读碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

SiC市场“蓄势待发”，哪些装备耗材还在被卡脖子？

网页2023年4月21日国产外延设备崛起，摆脱寡头格局与硅器件不同，SiC器件需要在SiC衬底上沉积生长外延膜，利用外延膜生产器件, 因此SiC外延设备在产业链中处于承上启下的重要位置，其中，CVD技术是目前已经广泛商业化采用的SiC外延技术。网页2023年4月19日国产外延设备崛起，摆脱寡头格局与硅器件不同，SiC器件需要在SiC衬底上沉积生长外延膜，利用外延膜生产器件, 因此SiC外延设备在产业链中处于承上启下的重要位置，其中，CVD技术是目前已经广泛商业化采用的SiC外延技术。SiC哪些环节被卡脖子？剖析国产化的希望与痛点面包板社区

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

网页2023年1月3日在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。网页中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为320～325，显微硬度为2840~3320kg/mm2。一、碳化硅的性能由于碳化硅的化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，如制成的高级耐火材料、脱氧剂、电热元件硅碳棒等。2021年中国碳化硅（SiC）行业产业链上中下游市场分析（附

碳化硅外延设备产品与技术纳设智能官方网站 Naso Tech

网页碳化硅化学气相沉积外延设备碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主网页2020年12月25日制备温度方面，碳化硅衬底需要在2500度高温设备下进行生产，而硅晶只需1500度；生产周期方面，碳化硅晶圆约需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；商业化晶圆尺寸方面，目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸，而用于功率器件的硅晶圆以8 英寸为主国内碳化硅产业链！面包板社区

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

网页2022年3月22日 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线需要重视哪些信号交易提示操盘必读网页2020年11月25日与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。最全！解析碳化硅外延材料产业链 21ic电子网